Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF2804S-7PPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF2804S
IRF2804S-7PPBF Hakkında
IRF2804S-7PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi, 160A sürekli drain akımı ve 1.6mOhm maksimum kapalı-devre direnci ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 330W güç tüketebilir. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolörleri, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V drive gerilimi ile kontrol edilebilen, 260nC gate yükü ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6930 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 160A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (7-Lead) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok