Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF233

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF233

IRF233 Hakkında

IRF233, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. 600mΩ on-resistance (Rds(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 75W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V kapı sürücü geriliminde optimum performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok