Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF232

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF232

IRF232 Hakkında

IRF232, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlayan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, röle ve solenoid sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 75W güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok