Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF223

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF223

IRF223 Hakkında

IRF223, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok