Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF200S234
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF200S234
IRF200S234 Hakkında
IRF200S234, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, endüstriyel güç denetim sistemleri, motor kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 16.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Not: Bu ürün güncel olmayan (obsolete) parçadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6484 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok