Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF200S234
IRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF200S
IRF200S234 Hakkında
IRF200S234, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, elektrik motor kontrolü, güç dönüştürücüler, enerji yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 16.9mΩ maksimum On-direnci ve 162nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6484 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok