Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF200P223
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF200P223
IRF200P223 Hakkında
IRF200P223, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source voltajı ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve yüksek akımlı DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 313W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5094 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok