Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF200P
IRF200P222 Hakkında
IRF200P222, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim kapasitesi ve 182A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak görev yapır. 6.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 182A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9820 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 556W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 82A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok