Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF200B211
IRF200B211 Hakkında
IRF200B211, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220AB paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve düşük frekanslı güç dönüştürücülerde kullanılır. 170mΩ maksimum on-state direnç (10V gate voltajında) ile verimli iletkenlik sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. 23nC gate charge ve 790pF input capacitance karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok