Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF1902TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF1902

IRF1902TRPBF Hakkında

IRF1902TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 85mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında emniyetli şekilde kullanılabilir. 2.5W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok