Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1902GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1902
IRF1902GTRPBF Hakkında
IRF1902GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. SMPS, motor sürücüleri, led kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (7.5nC) sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok