Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1902GPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1902
IRF1902GPBF Hakkında
IRF1902GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 85mΩ (4A, 4.5V) on-resistance ve 7.5nC gate charge özellikleriyle düşük güç kayıpları sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve genel-amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Üretim sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok