Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF151
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AE
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF151
IRF151 Hakkında
IRF151, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-204AE through-hole paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve anahtarlama uygulamalarında röle veya mekanik anahtarların yerini alır. 10V gate sürüş voltajında 55mOhm maksimum RDS(on) direnci ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 150W maksimum güç dağıtımına sahiptir ve geniş sıcaklık aralığında endüstriyel ve profesyonel elektronik sistemlerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AE |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-204AE |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok