Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF150P
IRF150P221XKMA1 Hakkında
IRF150P221XKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 150V drain-source gerilimi ve 186A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Güç dönüştürücüler, şarj kontrol devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 341W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 100nC olup hızlı anahtarlamaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 186A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok