Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1404STRRPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1404
IRF1404STRRPBF Hakkında
IRF1404STRRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 40V drain-source voltaj kapasitesi ile 162A sürekli drenaj akımı sağlar. 4mΩ on-resistance değeri ile düşük enerji kaybında çalışır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 200nC gate yükü ve 7360pF giriş kapasitansı özelliğine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltajı toleransı bulunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 162A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 95A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok