Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF133

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
IRF133

IRF133 Hakkında

IRF133, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajına dayanıklı olup, 25°C'de 12A sürekli drain akımı sağlar. Maximum 79W güç dağıtabilir. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 230mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda yer alabilir. Gate charge 26nC, input capacitance ise 600pF değerlerindedir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 8.3A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok