Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF1312PBF

MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF1312

IRF1312PBF Hakkında

IRF1312PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ve 95A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), invertörler ve diğer güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Maksimum 210W güç disipasyonu kapasitesi vardır. ±20V gate voltaj toleransı ile geniş sürücü uyumluluğu sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 57A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok