Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1310NS
IRF1310NSTRRPBF Hakkında
IRF1310NSTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 42A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 36mOhm maksimum on-direnci, 110nC gate yükü ve düşük input kapasitansı (1900pF) ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve maksimum 160W ısıl dissipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok