Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF1310NSTRR

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF1310NS

IRF1310NSTRR Hakkında

IRF1310NSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 42A sürekli akım kapasitesine sahip bu komponent, düşük 36mOhm on-state direnci sayesinde enerji uygulamalarında verimli çalışır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen IRF1310NSTRR, 10V gate sürme voltajı ile kontrol edilir ve 110nC gate charge değerine sahiptir. Maksimum 160W ısıl yayılım kapasitesi ile yoğun uygulamalarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok