Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1310NSPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1310N
IRF1310NSPBF Hakkında
IRF1310NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 42A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 36mOhm maksimum On-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile +175°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. 110nC gate yükü ve 1900pF giriş kapasitanslı tasarımı ile güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V drive voltajı ile kontrolü kolaydır. 160W (soğutma ile) maksimum güç tüketimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok