Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1310NSPBF-INF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1310N
IRF1310NSPBF-INF Hakkında
IRF1310NSPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 36mΩ maksimum gate-source on direnci ile düşük kayıp karakteristikleri sunar. TO-263-3 D²Pak paketinde monte edilen bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 160W soğutuculu güç dağılımına ulaşabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve ağır akım anahtarlama işlemlerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok