Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF120
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF120
IRF120 Hakkında
IRF120, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-3 paketinde sunulan IRF120, motor kontrol, güç kaynakları, ters çevirici devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında ve 40W maksimum güç tüketiminde güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok