Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1104S
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1104
IRF1104S Hakkında
IRF1104S, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı ile tasarlanmış, D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç dönüşüm uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve inverter tasarımlarında kullanılır. Gate charge değeri 93nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-263AB paketinin kompakt tasarımı yoğun PCB düzenlemelerine uygun olup, 170W maksimum güç dağıtımı kapasitesi yüksek akım uygulamalarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok