Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1018
IRF1018ESTRLPBF Hakkında
IRF1018ESTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 79A sürekli drain akımı (Id) özelliğine sahip bu bileşen, D2PAK (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 8.4 mOhm düşük on-direnci (Rds On), 69 nC kapı yükü ve 110W maksimum güç dağılımı ile güç uygulamalarında etkili çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılan bu MOSFET, 10V gate sürücü geriliminde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok