Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1018
IRF1018ESPBF Hakkında
IRF1018ESPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak geriliminde 79A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V kapı geriliminde 8.4mOhm'luk düşük on-direnci (RDS(on)) ile güç anahtarlama uygulamalarında verim kaybını minimuma indirir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok