Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1018
IRF1018ESLPBF Hakkında
IRF1018ESLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 79A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262 paketinde sunulan bu komponent, 8.4mΩ on-state direncine sahip olup düşük güç kaybı gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 110W maksimum güç yayılım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok