Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010ZS
IRF1010ZS Hakkında
IRF1010ZS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mΩ on-direnç (RDS on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında düşük kayıp sağlar. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, anahtarlama hızı ve verimlilik gerektiren DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 140W güç saçıtabilme kapasitesine sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok