Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010Z
IRF1010Z Hakkında
IRF1010Z, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 7.5mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde imal edilen bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç şalter devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge 95nC olup 10V sürücü gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok