Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010N
IRF1010NPBF Hakkında
IRF1010NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 85A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 11mOhm (10V, 43A) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 180W güç yayılım kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 43A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok