Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010NL
IRF1010NLPBF Hakkında
IRF1010NLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ile 85A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 11mΩ maksimum on-direnci ile güç kayıplarını minimalize eder. TO-262-3 (I²Pak) pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 180W güç dağıtabilir. Yüksek akım uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, güç invertörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürme voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 43A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok