Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010EZS
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010EZ
IRF1010EZS Hakkında
IRF1010EZS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 75A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) surface mount paketi ile PCB üzerine doğrudan montajı sağlanır. 8.5mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, motor sürücüler, güç dönüştürücüler, PWM kontrolü gerektiren DC-DC converterler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 140W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yoğun yük koşullarında kullanılabilir. Parça durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok