Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010
IRF1010EZPBF Hakkında
IRF1010EZPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 140W güç dissipasyonu kapasitesine sahip bu bileşen, switching power supplies, DC-DC konvertörleri ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok