Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF1010EPBF
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF1010E
IRF1010EPBF Hakkında
IRF1010EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 84A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlamada ve kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ (50A, 10V) maksimum drain-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 200W maksimum güç dağılımı özelliği ile motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ve 4V kapı eşik voltajı ile direkt logic seviyesi kontrolüne uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok