Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100S201
IRF100S201 Hakkında
IRF100S201, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 192A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 441W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 192A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 441W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 115A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok