Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100P219
IRF100P219XKMA1 Hakkında
IRF100P219XKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 203A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile mekanik stabilite sağlar. Düşük 1.7mΩ on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimumda tutulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 341W güç yayabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol, şarj devreleri ve elektrik drifleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 270nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. NOT: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 203A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12020 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok