Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100P219AKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100P219
IRF100P219AKMA1 Hakkında
IRF100P219AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 203A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 1.7mΩ maksimum on-direnci ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 203A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12020 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok