Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100P218
IRF100P218XKMA1 Hakkında
IRF100P218XKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 100V drain-source voltajında 209A sürekli drenaj akımı sağlayan bu transistör, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1.28mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 556W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C) sayesinde endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve yüksek akımlı DC-DC konvertörlerinde yaygın olarak tercih edilir. 555nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 209A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 555 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 556W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok