Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100P218AKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100P218AKMA1
IRF100P218AKMA1 Hakkında
IRF100P218AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 209A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.28mΩ maksimum on-resistance (Rds On @ 100A, 10V) sayesinde düşük ısı kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.8W (Ta) güç tüketimi karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 209A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 412 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 556W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok