Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF100B202

MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF100B202

IRF100B202 Hakkında

IRF100B202, Infineon Technologies tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltajı ve 97A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.6mOhm (10V, 58A'de) on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 221W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir tercih sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4476 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 221W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok