Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF100B201
IRF100B201 Hakkında
IRF100B201, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 192A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, inverter devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 4.2mOhm maksimum on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve ±20V Vgs ile geniş kullanım yelpazesine uyum gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 192A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 441W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 115A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok