Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRC640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRC640
IRC640PBF Hakkında
IRC640PBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. Entegre akım algılama (Current Sensing) özelliği sayesinde koruma devrelerinde tercih edilir. TO-220-5 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüşü altında 180mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-5 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok