Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE065N10NM5CGATMA1
TRENCH >=100V PG-TTFN-9
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE065N10NM5CG
IQE065N10NM5CGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE065N10NM5CGATMA1, 100V Drain-Source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, 14A sürekli dren akımı (Ta) kapasitesi ile düşük anahtarlama kayıpları sunmaktadır. 6.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount PG-TTFN-9 paketinde sunulan komponent, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TTFN-9-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 48µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok