Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE065N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE065N10NM5
IQE065N10NM5ATMA1 Hakkında
IQE065N10NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel Trench MOSFET transistördür. PG-TSON-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 14A (Ta) ile 85A (Tc) arasında sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 6.5mOhm on-resistance ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge değeri 42nC olup, hızlı komütasyon uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Otomotiv, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü ve LED sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 48µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok