Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE050N08NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE050N08NM5
IQE050N08NM5CGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE050N08NM5CGATMA1, 80V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisiyle tasarlanmış bu bileşen, 16A sürekli drain akımı (Ta) ve 101A (Tc) kapasitesine sahiptir. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PG-TTFN-9 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışır. 43.2nC gate charge ve 2900pF input capacitance ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 101A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TTFN-9-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok