Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE050N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE050N08NM5ATMA1
IQE050N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon IQE050N08NM5ATMA1, 80V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TRENCH teknolojisi kullanarak üretilen bu bileşen, 16A sürekli dren akımı (Ta @25°C) ve 5mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarjı 43.2nC ve 2900pF giriş kapasitanspı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. PG-TSON-8 paketinde sunulan bu MOSFET, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, elektrik aygıtları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli şekilde işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 101A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok