Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE030N06NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE030N06
IQE030N06NM5CGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IQE030N06NM5CGATMA1, 60V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-Channel Power MOSFET transistördür. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TRENCH teknolojisi ile üretilmiş bu bileşen, motor kontrol, switch mode power supplies (SMPS), DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. PG-TTFN-9 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 137A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TTFN-9-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok