Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE030N06NM5ATMA1
IQE030N06NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE030N06NM5ATMA1, 60V Drain-Source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. PG-TSON-8 paketlemesi ile sunulan bu bileşen, 21A sürekli drenaj akımı ve 3mΩ RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate şarjı 49nC ve düşük giriş kapasitansi (3800pF) özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 137A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok