Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE013N04LM
IQE013N04LM6CGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE013N04LM6CGATMA1, 40V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 31A (Ta) / 205A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paketinde surface mount teknolojisiyle monte edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 2.5W (Ta) / 107W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir tasarımdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 205A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 51µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok