Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE008N03LM5CGATMA1
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE008N03LM5
IQE008N03LM5CGATMA1 Hakkında
IQE008N03LM5CGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajı ve 27A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 850µOhm'dur. 8-PowerTDFN paket tipinde surface mount olarak monte edilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±16V maksimum gate voltajı ile çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 253A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850µOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TTFN-9-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok