Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IQE008N03LM5ATMA1
TRENCH <= 40V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IQE008N03LM5
IQE008N03LM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IQE008N03LM5ATMA1, 30V Drain-Source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 27A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesiyle ve 850µOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük enerji kayıpları sağlar. PG-TSON-8 paketleme ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürme devreleri için tasarlanmıştır. 64nC gate charge ve düşük input kapasitesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 253A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850µOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok